በጂ/ሲጂ የተጣመረ ኳንተም ዌልስ ውስጥ ግዙፍ የኤሌክትሮ-ኦፕቲካል ተጽእኖ

በሲሊኮን ላይ የተመሰረተ ፎቶኒክስ በአሁኑ ጊዜ ለተከተቱ ግንኙነቶች የሚቀጥለው ትውልድ የፎቶኒክስ መድረክ ተደርጎ ይቆጠራል።ይሁን እንጂ የታመቀ እና ዝቅተኛ ኃይል ያለው የኦፕቲካል ሞዱላተሮች እድገት ፈታኝ ሆኖ ይቆያል.እዚህ በ Ge/SiGe የተጣመሩ የኳንተም ጉድጓዶች ውስጥ አንድ ግዙፍ የኤሌክትሮ-ኦፕቲካል ተጽእኖ ሪፖርት እናደርጋለን።ይህ ተስፋ ሰጭ ተጽእኖ በኤሌክትሮኖች እና በተጣመሩ የጂ/ሲጂ ኳንተም ጉድጓዶች ውስጥ በተለዩ ክፍተቶች ምክንያት ያልተለመደው የኳንተም ስታርክ ውጤት ላይ የተመሰረተ ነው።ይህ ክስተት በሲሊኮን ፎቶኒክስ ውስጥ እስካሁን ከተዘጋጁት መደበኛ አቀራረቦች ጋር ሲነፃፀር የብርሃን ሞዲተሮችን አፈፃፀም በእጅጉ ለማሻሻል ጥቅም ላይ ሊውል ይችላል.በማጣቀሻው ኢንዴክስ እስከ 2.3 × 10-3 ባለው አድሎአዊ ቮልቴጅ 1.5 ቪ በተዛማጅ ሞጁል ቅልጥፍና VπLπ 0.046 Vcm ለውጦችን ለካን።ይህ ማሳያ በG/SiGe ማቴሪያል ስርዓቶች ላይ የተመሰረቱ ቀልጣፋ ባለከፍተኛ ፍጥነት ደረጃ ሞጁላተሮችን ለማዳበር መንገድ ይከፍታል።