የዝግጅት ቴክኖሎጂ እና ከፍተኛ-ንፅህና የተንግስተን ኢላማ አተገባበር

በከፍተኛ የሙቀት መጠን መረጋጋት ምክንያት ከፍተኛ የኤሌክትሮን ፍልሰት መቋቋም እና ከፍተኛ የኤሌክትሮን ልቀቶች የማጣቀሻ የተንግስተን እና የተንግስተን alloys ፣ ከፍተኛ-ንፅህና የተንግስተን እና የተንግስተን ቅይጥ ኢላማዎች በዋናነት ለበር ኤሌክትሮዶች ፣ የግንኙነት ሽቦዎች ፣ የስርጭት ማገጃ ንብርብሮች ፣ ወዘተ ሴሚኮንዳክተር ለማምረት ያገለግላሉ ። የተቀናጁ ወረዳዎች እና ለንፅህና ፣ ለንፅህና ያልሆነ ንጥረ ነገር ይዘት ፣ መጠጋጋት ፣ የእህል መጠን እና የእህል መዋቅር የእቃዎች ተመሳሳይነት ከፍተኛ መስፈርቶች አሏቸው።አሁን ከፍተኛ-ንፅህናን የተንግስተን ዒላማ ዝግጅት ላይ ተጽእኖ የሚያሳድሩትን ነገሮች እንመልከት.

　　1, የመለጠጥ ሙቀት ውጤት

የተንግስተን ኢላማ ሽል የመፈጠር ሂደት በአጠቃላይ በቀዝቃዛ አይስስታቲክ ግፊት የተሰራ ነው።የ tungsten እህል በማፍሰስ ሂደት ውስጥ ይበቅላል.የተንግስተን እህል እድገቱ በእህል ድንበሮች መካከል ያለውን ክፍተት ይሞላል, ስለዚህ የተንግስተን ዒላማውን ጥግግት ያሻሽላል.በሴንትሪንግ ጊዜዎች መጨመር, የ tungsten ዒላማ ጥግግት መጨመር ቀስ በቀስ እየቀነሰ ይሄዳል.ዋናው ምክንያት ከበርካታ ማሽነሪዎች በኋላ, የ tungsten ዒላማው ጥራት ብዙም አልተለወጠም.በእህል ወሰን ውስጥ ያሉት አብዛኛዎቹ ክፍተቶች በ tungsten ክሪስታሎች የተሞሉ ስለሆኑ፣ ከእያንዳንዱ ጥምጥም በኋላ፣ የተንግስተን ዒላማ አጠቃላይ የመጠን ለውጥ መጠን በጣም ትንሽ ነው፣ በዚህም ምክንያት የተንግስተን ዒላማ ጥግግት ለመጨመር የተወሰነ ቦታ አለ።በማሽቆልቆሉ ሂደት፣ የበቀለው የ tungsten እህሎች ወደ ባዶ ቦታዎች ተሞልተዋል፣ በዚህም ምክንያት በትንሽ ቅንጣት መጠን ከፍተኛ መጠን ያለው የዒላማ ጥግግት ያስከትላል።

　　2, ጊዜን የመቆየት ውጤት

በተመሳሳዩ የሲንሰሪንግ የሙቀት መጠን ውስጥ, የተንግስተን ዒላማው መጨናነቅ በሲሚንቶው የመቆየት ጊዜን በማራዘም ይሻሻላል.የመቆያ ጊዜን በማራዘም የተንግስተን እህል መጠን ይጨምራል, እና የመያዣው ጊዜ ማራዘም, የእህል መጠን የእድገት ጊዜዎች ቀስ በቀስ እየቀነሱ ይሄዳሉ, ይህ ማለት የእህል ጊዜ መጨመር የእህል አፈፃፀምን ያሻሽላል. የተንግስተን ዒላማ.

　　3. በታለሙ ንብረቶች ላይ የመንከባለል ውጤት

የተንግስተን ዒላማ ቁሳዊ ጥግግት ለማሻሻል እና የተንግስተን ዒላማ ቁሳዊ ያለውን ሂደት መዋቅር ለማግኘት, የተንግስተን ዒላማ ቁሳዊ መካከለኛ የሙቀት ማንከባለል recrystallization ሙቀት በታች መካሄድ አለበት.የዒላማው ቢል የሚሽከረከረው የሙቀት መጠን ከፍ ያለ ከሆነ፣ የዒላማው የቢሌት ፋይበር መዋቅር ሸካራ ይሆናል፣ እና በተቃራኒው።የሙቀት ማሽከርከር መጠን ከ 95% በላይ ሲደርስ።ምንም እንኳን በተለያዩ ኦሪጅናል እህሎች ወይም በተለያዩ የመንከባለል ሙቀት ምክንያት የሚፈጠረው የፋይበር መዋቅር ልዩነት ቢወገድም፣ የዒላማው ውስጣዊ መዋቅር በአንጻራዊነት አንድ ወጥ የሆነ የፋይበር መዋቅር ይፈጥራል፣ ስለዚህ የሙቅ ማንከባለል ሂደት ከፍ ባለ መጠን የዒላማው አፈጻጸም የተሻለ ይሆናል።